Арипов Х.К., Кузьмина Г.Н. и др. Микроволновые полупроводниковые приборы - файл mikrovolno_poluprovod_pribori.doc

Арипов Х.К., Кузьмина Г.Н. и др. Микроволновые полупроводниковые приборы
скачать (483.7 kb.)
Доступные файлы (1):
mikrovolno_poluprovod_pribori.doc1409kb.29.05.2003 11:50скачать

mikrovolno_poluprovod_pribori.doc

1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   12

Основные обозначения





A21 -

коэффициент Эйнштейна для спонтанных переходов

aj -

полная вероятность спонтанного переходя с уровня i на все нижние

a -

коэффициент неидеальности

B21 , B12 -

коэффициенты Эйнштейна для вынужденных переходов с излучением и поглощением энергии соответственно

C0 -

статическая емкость диода, удельная емкость коллектора

C -

барьерная емкость при U=0

Cmах -

максимальная емкость p-n-перехода

СK -

емкость коллекторного перехода

Cб -

барьерная емкость

Cдиф -

дифференциальная диффузионная емкость

Cкор -

емкость корпуса

Dn , Dp -

коэффициенты диффузии электронов и дырок

E -

напряженность поля

Eп -

пороговая напряженность поля

f -

частота

fmаx -

максимальная частота генера­ции

fгр -

граничная частота

fпред -

предельная частота

G -

отрицательная дифференциальная проводимость

h -

постоянная Планка

I -

интенсивность излучения

I0 -

обратный ток, ток насыщения, тепловой ток

I1 -

максимальный прямой ток

I2 -

минимальный прямой ток

Imax -

максимально-допустимый ток

In дp -

электронная составляющая тока дрейфа

In диф -

электронная составляющая диффузионного тока

Ip диф -

дырочная составляющая диффузионного тока

Ip др -

дырочная составляющая тока дрейфа

Iдиф -

диффузионный ток

Iдр -

ток дрейфа

Iном -

номинальный рабочий ток

Iпор-

пороговый ток

Iрек -

ток рекомбинации

Iт -

суммарный туннельный ток

iл(t) -

импульс лавинного тока

iнав -

наведенный ток

jдр -

плотность дрейфового тока

Kш -

коэффициент шума

Кр -

коэффициент усиления по мощности

k -

постоянная Больцмана, волновое число

L -

индуктивность, длина канала

Ln , Lp -

диффузионная длина электронов и дырок

lб -

толщина базы

lк -

толщина коллекторного перехода

lм -

толщина медной подложки

lп -

толщина подложки

lстр -

толщина полупроводниковой структуры

lэ -

ширина эмиттерной полоски

M -

коэффициент умножения

mn ,mp -

эффективные массы электрона и дырки

? -

полное число частиц

Na -

концентрация ионизированных атомов акцепторной примеси

Ni -

населенность уровня i

Nд -

концентрация ионизированных атомов донорной примеси

Nпр -

эффективная плотность состояний в зоне проводимости

n0 -

полная концентрация электронов

n21 -

число переходов с уровня 2 на уровень 1

ni -

концентрация электронов в собственном полупроводнике

P0 -

мощность потребляемая от источника

Р21 -

мощность излучения

Рвыд­ -

выделяемая мощность

Pвых -

выходная мощность

Рпред ­-

предельное значение мощности

Pпoгл -

поглощаемая мощность

Pш -

мощность теплового шума

Pшc -

мощность собственных шумов транзистора

p -

вероятность

pi -

концентрация дырок в собственном полупроводнике

pn ,nn -

концентрация носителей в n-области

pp ,np -

концентрация носителей в p-области

q -

заряд электрона

R0 -

сопротивление образца; сопротивле­ние в слабом поле

R-

дифференциальное выходное сопротивление

Ri -

динамическое (отрицательное) сопротивление

Rдиф -

дифференциальное сопротивление

rз -

сопротивление металлиза­ции затвора

Rзи -

сопротивление части канала между исто­ком и затвором

Rи-

сопротивление части эпитаксиального n-слоя на участках исток - затвор

Rн -

сопротивление нагрузки

Rст -

статическое сопротивление

r0 -

удельное сопротивление базы

rs -

сопротивление растекания;сопротивление контактов, подводящих проводов

rб -

сопротивление базовой области

rк -

сопротивление коллекторной области

rэ -

дифференциальное сопротивление эмиттерного перехо­да

S -

площадь, крутизна

S(v) -

спектральная плотность излучения

T -

температура

T0 -

время пролета домена

Тп -

температура перехода

Tпmax -

максимальная температура перехода

t -

время

-

среднее время свободного пробега электрона и дырки

tпр -

время пролета электронов через канал

tф -

время формирования домена

u0 -

прямое напряжение

U1 ,U2 -

напряжения, соответствующие I1 и I2

U3 -

напряжение раствора

uv -

объемная плотность энергии внешнего поля

Uк­ -

контактная разность потенциалов

Uобр -

обратное напряжение

Uпр -

напряжение пробоя

-

скорость электрона

vmax -

максимальная скорость дрейфа

vд -

скорость домена

vдр -

скорость дрейфа

?? -

центральная частота спектральной линии

vнас -

скорость насыщения

vрек -

скорость рекомбинации

W12 -

вероятность вынужденного перехода снизу вверх в 1с

Wi -

энергия уровня i

W21 -

вероятность вынужденного перехода сверху вниз в 1с

WF -

уровень Ферми

Wв -

"потолок" валентной зоны

Wпр -

"дно" зоны проводимости

w12 -

вероятность релаксационных переходов между уровнями W1 и W2

w21 -

вероятность релаксационных переходов между уровнями W2 и W1

wк -

глубина канала

xn -

части ширины запирающего слоя n-полупроводнике

xp -

части ширины запирающего слоя p-полупроводнике

Z -

полное сопротивление

?0 -

коэффициент передачи тока эмиттера

n ,p -

коэффициенты ионизации электронов и дырок

-

ширина запирающего слоя

?t -

неопределенность времени.

W -

ширина запрещенной зоны, неопределенность энергии

-

слой умножения

-

относительная диэлектри­ческая проницаемость

0 -

диэлектрическая постоянная

-

коэффициент рекомбинации

-

коэффициент полезного действия (КПД)

внутр -

внутренний квантовый выход рекомбинационного излучения

т -

температурный потенциал

-

длина волны

-

подвижность

ср -

средняя подвижность

др -

угол пролета

n -

объемная плотность заряда электронов

-

время жизни

2 -

средне временя жизни

j -

временя жизни на уровне j

б ­-

вре­мя пролета носителей заряда через базовую область;

к -

время зарядки емкости коллекторного перехода

кп -

время задержки в коллекторном переходе,

рел-

время релаксации

э -

время зарядки барьерной емкости эмиттерного перехода

эк -

вре­меня задержки сигнала, распространяющегося от эмиттера к коллектору

0 -

собственная резонансная частота

-

расстояние между контактами



Литература





  1. Основная литература:




  1. Андрушко Л.М., Федоров Н.Д. Электронные м квантовые приборы СВЧ.: Учебник, М.: Радио и связь, 1981г.

  2. Федоров Н.Д. Электронные приборы.: учебник, М.: Атомиздат, 1979г.

  3. Лебедев И.В. Техника и приборы сверхвысоких частот. М.: Высшая школа,1972г.

  4. Андреев И.С., Арипов Х.К., Кузьмина Г.Н. Электронные и квантовые приборы, часть 1, Ташкент, ТЭИС, 1998г.

  5. Бобровский Ю.Л., Корнилов С.А., Кратиров И.А., Овчинников К.Д., Пышкина Н.И., Федоров Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника.: Учебное пособие для вузов / Под ред. проф.Н.Д. Федорова -М.Радио и связь,1998г.



  1. Дополнительная литература:




  1. Батушев В.А. Электронные приборы: Учебник для вузов. - М.: Высш. школа,1980г.

  2. Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы; Учебник для техникумов. -М.: Высш. школа,1979г.

  3. В.В. Воскресенский, А.М. Иваницкий Применение туннельных диодов в импульсной технике. М.:"Связь", 1974г.

  4. Дулин В.Н. Электронные приборы. Учебник для студентов вузов, обучающихся по спец."Радиотехника"-М.:"Энергия",1977г.

  5. Березин В.М., Буряк В.С., Гутцайт Э.М., Марин В.П. Электронные приборы СВЧ: Учеб. Пособие для вузов по спец." Электронные приборы". -М.: Высш. школа,1985г.




1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   12


Учебный материал
© bib.convdocs.org
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации