Определение угловой расходимости инфракрасного излучения полупроводникового лазера - файл n1.doc

Определение угловой расходимости инфракрасного излучения полупроводникового лазера
скачать (33.5 kb.)
Доступные файлы (1):
n1.doc34kb.04.12.2012 03:04скачать

n1.doc


  1. Каковы характерные особенности полупроводниковых лазеров?


Полупроводниковые лазеры имеют такие практические достоинства:

Недостатки полупроводниковых лазеров являются следствиями их достоинств: малые размеры приводят к низким значениям выходной мощности; как и все приборы полупроводниковой электроники, ППЛ чувствительны к оптическим перегрузкам и перегреву.


  1. Какое физическое явление лежит в основе работы ЭОП?


лектроннооптический преобразователь ( ЭОП )
ЭОП - это вакуумный фотоэлектронный прибор для преобразования невидимого глазом изображения объекта (в ИК, УФ и рентгеновских лучах) в видимое либо для усиления яркости видимого изображения. В основе действия ЭОП лежит преобразование оптического или рентгеновского изображения в электронное с помощью фотокатода, а затем электронного изображения в световое (видимое), получаемое на катодолюминесцентном экране. В ЭОП изображение объекта проецируется с помощью объектива на фотокатод (при использовании рентгеновских лучей теневое изображение объекта проецируется на фотокатод непосредственно).
Излучение от объекта вызывает фотоэлектронную эмиссию с поверхности фотокатода, причём величина эмиссии с разных участков последнего изменяется в соответствии с распределением яркости спроецированного на него изображения. Фотоэлектроны ускоряются электрическим полем на участке между фотокатодом и экраном, фокусируются электронной линзой (ФЭ - фокусирующий электрод) и бомбардируют экран Э., вызывая его люминесценцию. Интенсивность свечения отдельных точек экрана зависит от плотности потока фотоэлектронов, вследствие чего на экране возникает видимое изображение объекта. Различают ЭОП одно- и многокамерные (каскадные); последние представляют собой последовательное соединение двух или более однокамерных ЭОП.


  1. Зачем в данной работе применяется ЭОП?


Большинство современных полупроводниковых лазеров работают в ИК диапазоне длин волн, что существенно затрудняет измерение параметров их пучков с использованием визуально-оптических методов. Для наблюдения инфракрасного излучения в системах оптического контроля применяют электронно-оптические преобразователи (ЭОП).


  1. Чему равна мощность полупроводникового лазера, применяемого в данной работе? Расходимость пучка? КПД? Длина волны излучения?



Лабораторная установка состоит из полупроводникового лазера ИЛПН-301 (длина волны  = 0,85 мкм, максимальная мощность Р0 = 1 мВт)


  1. Можно ли изменить длину волны индуцированного излучения в лазере, используемом в данной работе? Почему?

  2. Что представляет собой система накачки лазера, используемого в данной работе?


Наиболее распространенным типом накачки ППЛ является возбуждение полупроводников постоянным током, который пропускается через полупроводниковый диод в прямом направлении. Весьма высокой эффективностью обладает также электронно-лучевая накачка, приводящая к генерации лазерного излучения, в том числе и коротковолнового диапазона.


  1. Какова система охлаждения и почему она используется в данном лазере?


Воздушная


  1. Где и почему применяются полупроводниковые лазеры?


Полупроводниковые лазеры (ППЛ) в настоящее время являются наиболее массовым типом лазера. Их годовой выпуск достигает миллионов экземпляров. ППЛ широко используются в устройствах записи и считывания информации (СD-ROM, CD-проигрыватель), волоконных линиях связи, лазерных принтерах и других современных приборах

Учебный материал
© bib.convdocs.org
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации