Перевезенцев С.В., Сухова В.Ф. Физические основы электроники. Часть 1 - файл n1.doc

Перевезенцев С.В., Сухова В.Ф. Физические основы электроники. Часть 1
скачать (1267.5 kb.)
Доступные файлы (1):
n1.doc2272kb.28.11.2005 15:01скачать

n1.doc

1   2   3   4   5   6

Лабораторная работа 2.
Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n переходов с различной площадью переходов и шириной запрещенной зоны полупроводника.



Назначение работы

Целью работы является изучение функционирования p-n перехода при прямом включении. В данной работе снимаются прямые ветви вольт-амперных характеристик германиевых и кремниевых p-n переходов с различной величиной площади перехода.
Задания к лабораторной работе

Лабораторные исследования выполняются на плате П1 с технологической картой 1.1.Инструкции по выполнению заданий приведены на технологической карте.
Задание 1. Снять зависимости прямого тока от прямого напряжения для двух кремниевых p-n переходов с различной величиной площади перехода. Результаты измерений занести в таблицу 1.

Табл. 1

на технологичес-кой карте

Площадь p-n перехода

Кремниевый p-n переход

1



Uпр

























Iпр,мА

























2



Uпр

























Iпр,мА


























Задание 2. Снять зависимость прямого тока от прямого напряжения для двух германиевых p-n переходов с различной величиной площади перехода. Результаты измерений занести в таблицу 2.

Табл. 2

на технологичес-кой карте

Площадь p-n перехода

Германиевый p-n переход

3



Uпр

























Iпр,мА

























4



Uпр

























Iпр,мА

























Замечание. Количество снятых точек на начальных нелинейных участках вольт-амперной характеристики должно быть достаточным для точного воспроизведения ВАХ.
Задание 3. По данным таблиц 1 и 2 на одних осях построить два семейства прямых ветвей вольт-амперных характеристик германиевого и кремниевого p-n переходов с различной величиной площади перехода. На графиках установить соответствие между характеристиками и площадями p-n переходов. Пояснить влияние площади перехода на вид прямой ветви ВАХ p-n перехода.

Задание 4. По данным таблиц 1 и 2 на одних осях построить семейство прямых ветвей вольт-амперных характеристик германиевого и кремниевого p-n переходов с меньшей (большей) площадью перехода. Пояснить влияние ширины запрещенной зоны полупроводника на вид полученных характеристик.
Вопросы для допуска к работе

  1. Что называют p-n переходом?

  2. Что представляет собой прямая ветвь вольт-амперной характеристики p-n перехода?

  3. Как зависит положение ВАХ от величины площади p-n перехода?

  4. Как зависит положение ВАХ от ширины запрещенной зоны полупроводника?

  5. Объяснить порядок и методику выполнения работы.


Контрольные вопросы и задания к защите работы

  1. Для равновесного p-n перехода изобразить и объяснить распределение подвижных и неподвижных носителей заряда.

  2. Что такое контактная разность потенциалов? Как она образуется?

  3. Как и почему изменяется величина контактной разности потенциалов p-n перехода при подключении прямого напряжения?

  4. Как влияет на величину контактной разности потенциалов изменение температуры?

  5. Как зависит величина контактной разности потенциалов от ширины запрещенной зоны полупроводника?

  6. Как и почему изменяется ширина p-n перехода при подключении прямого напряжения?

  7. Почему в состоянии равновесия ток через p-n переход равен нулю?

  8. Какова величина и природа тока, протекающего через p-n переход при прямом включении?

  9. Записать и объяснить уравнение прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n перехода.


1   2   3   4   5   6


Учебный материал
© bib.convdocs.org
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации