Михайлов А.В. и др. Физические основы электроники: пассивные компоненты электронных устройств - файл n1.doc

Михайлов А.В. и др. Физические основы электроники: пассивные компоненты электронных устройств
скачать (10327.5 kb.)
Доступные файлы (1):
n1.doc10328kb.06.11.2012 13:01скачать

n1.doc

1   2   3   4   5   6   7

Основные параметры тиристоров и их ориентировочные значения


  1. Напряжение переключения (постоянное Uпрк, импульс­ное Uпрк и,
    десятки
    сотни вольт).

  2. Напряжение в открытом состоянии Uос падение напря­жения на тиристоре в открытом состоянии (Uос = 1 ч 3 В).

  3. Обратное напряжение Uобр напряжение, при котором тиристор может работать длительное время без нарушения его работоспособности (единицы тысячи вольт).

  4. Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии Uзс максимальное значение прямого напряжения, при котором не происходит включения тиристора (единицы сотни вольт).

  5. Неотпирающее напряжение на управляющем электроде Uу нот наибольшее напряжение, не вызывающее отпирания тиристора (доли вольта).

  6. Запирающее напряжение на управляющем электроде Uуз напряжение, обеспечивающее требуемое значение запирающего тока управляющего электрода (единицы десятки вольт).

  7. Ток в открытом состоянии Iос максимальное значение тока открытого тиристора (сотни миллиампер сотни ампер).

  8. Ток удержания Iуд (десятки сотни миллиампер).

  9. Обратный ток Iо6р (доли миллиампер).

  10. Отпирающий ток управления Iу от наименьший ток управляющего электрода, необходимый для включения тири­стора (десятки миллиампер).

  11. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоя­нии максимальная скорость нарастания напряжения в закры­том состоянии (десятки сотни В/мкс).

  12. Время включения tвкл время с момента подачи отпира­ющего импульса до момента, когда напряжение на тиристоре уменьшится до 0,1 своего начального значения (единицы десятки микросекунд).

  13. Время выключения tвыклминимальное время, в течение которого к тиристору должно прикладываться запирающее напряжение (десятки сотни микросекунд).

  14. Рассеиваемая мощность Р (единицы десятки ватт).

Обозначения тиристоров в соответствии с ГОСТ 10862-72 состоят из шести элементов. Первый элемент буква К, указывающая исходный материал полупроводника; второй буква Н для диодных тиристоров и У для триодных;
третий
цифра, определяющая назначение прибора; четвертый и пятый порядковый номер разработки; шестой буква, определяющая технологию изготовления, например КУ201А, КН102И и т. д.
2.7. Контрольные вопросы к разделу 2
1. Приведите классификацию полупроводниковых диодов по функциональному назначению.

2. Какие основные параметры выпрямительных, универсальных и импульсных диодов Вам известны?

3. Какие основные параметры стабилитронов, светодиодов и фотодиодов Вам известны?

4. Для чего предназначены варикапы? Какие параметры варикапов Вам известны?

5. Что Вы понимаете под терминами: разрешенная зона, запрещенная зона, зона проводимости, валентная зона?

6. В чем Вы видите сходство зоны проводимости полупроводников и диэлектриков?

7. Поясните физический смысл примесной электропроводности полупроводников?

8. Что Вы понимаете под терминами "уровень Ферми" и "температурный потенциал"? Поясните их физический смысл.

9. Что такое условие электронейтральности полупроводника?

10. Что Вы понимаете под термином "электрический переход" в полупроводнике? Какие виды электрических переходов в полупроводниках Вам известны?. Дайте краткую характеристику каждому из них.

11. Что такое несимметричный p-n-переход? Какие основные свойства несимметричного p-n-перехода Вам известны?

12. Какие физические процессы происходят в p-n-переходе, смещенном в прямом направлении?

13. Какие физические процессы происходят в p-n-переходе, смещенном в обратном направлении?

14. В чем Вы видите основные отличия в физике работы идеального и реального p-n-перехода?

15. Дайте краткую характеристику основным технологическим процессам, используемым при изготовлении полупроводниковых приборов.

16. Какие виды пробоя p-n-перехода Вам известны? Дайте краткую характеристику каждому из них.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Гусев, В.Г. Электроника / В.Г. Гусев. Ю.М. Гусев. – М.: Высшая школа, 1991.

2. Сайфутдинов, К.Р. Конструирование и технологии средств ИИТ: учеб. пособие / К.Р. Сайфутдинов, А.В. Михайлов. – Омск: Изд-во ОмГТУ, 2007.

3. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА: справочник / Н.Н. Акимов [и др.]. – Мн.: Беларусь, 1994.

4. Кликушин, Ю.Н. Электроника в приборостроении: учеб. пособие /
Ю.Н. Кликушин, А.В. Михайлов, И.Л. Захаров. – Омск: Изд-во ОмГТУ, 2005.

5. Титце, У. Полупроводниковая схемотехника: справочное руководство: [пер. с нем.] / У. Титце, К. Шенк. – М.: Мир, 1982.

6. Резисторы: справочник / В.В. Дубровский [и др.]. – 2-е. изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1991. – 528с.

7. Диоды: справочник / О.П. Григорьев [и др.]. – М.: Радио и связь, 1990. – (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158).

8. Ксенов, А.И. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы / А.И. Ксенов, А.В. Нефедов. – М.: Радио и связь, 1995.

9. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Н.Н. Горюнов [и др.]. – М.: Энергия, 1979.

10. Ерофеев, Ю.Н. Основы импульсной техники: учеб. пособие для вузов / Ю.Н. Ерофеев. – М.: Высшая школа, 1979.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение 3

1. Пассивные проводниковые компоненты электронных устройств 4

1.1. Резисторы 4

1.2. Электрические конденсаторы 13

1.3. Катушки индуктивности 21

1.4. Трансформаторы электронной аппаратуры 27

1.5. Контрольные вопросы 41

2. Пассивные полупроводниковые компоненты электронных устройств 43

2.1. Электропроводность полупроводников 43

2.2. Основные свойства и характеристики полупроводников 48

2.3. Электрические переходы 54

2.4. Особенности реальных p-n-переходов 66

2.5. Полупроводниковые диоды 70

2.6. Тиристоры 83

2.7. Контрольные вопросы 89

Библиографический список 91

Редактор Л.И. Чигвинцева

Компьютерная верстка – В.С. Николайчук

ИД № 06039 от 12.10.2001 г.
Сводный темплан 2010 г.

Подписано в печать 15.01.2010 г. Формат 6084 1/16. Бумага офсетная.

Отпечатано на дупликаторе. Уч. изд.-л. 5,75. Усл.-печ. л. 5,75.

Тираж 100 экз. Заказ 33.




Издательство ОмГТУ. 644050, г. Омск, пр. Мира, 11, т. 23-02-12

Типография ОмГТУ


* В соответствии с ГОСТ 13453-68, действовавшим до 1980 г., первыми элементами в обозначении были буквы: С – для резисторов постоянных; СП – для резисторов переменных; СТ – для терморезисторов; ФР – для фо­торезисторов; СН – для нелинейных резисторов; БП – для болометров. Вторым элементом были цифры, характеризующие материал резистора (так, у посто­янных резисторов: 1 – углеродистые и бороуглеродистые тонкослойные; 2 – металлодиэлектрические и металлооксидные тонкослойные; 3 – композицион­ные пленочные; 4 – композиционные объемные; 5 – проволочные; 6 – тонко­слойные металлизированные).

Третий элемент – порядковый номер разработки.

** Вместо R до конца 80-х годов 20 века применялась буква Е, а вместо G – Г, что показано обозначением в скобках.

1


*


2


* В общем случае движение избыточных зарядов происходит в трехмерном пространстве по довольно сложным законам. Математическое описание этих процессов приводит к неразрешимым системам дифференциальных уравнений в частных производных. Здесь рассмотрен упрощенный одномерный вариант описания, имеющий решение

1   2   3   4   5   6   7


Учебный материал
© bib.convdocs.org
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации